№2-2023

https://doi.org/10.53939/15605655/2023_2_6

Диханбаев К.К., Икрамова С.Б., Мырзалы Е. Б., Жайлыбаев И.Т., Төрахмет С.

Түйіндеме: Бұл жұмыста біз p-n-өткелінің n-қабатына электрохимиялық анодтау арқылы тұндырылған кеуекті мультикристалды кремнийден жасалған шағылысқа қарсы жабыны бар кремний күн элементін (КЭ) қарастырамыз. Кеуекті мк-Si шағылыстыру спектрінің минимумы анодизация тоғының тығыздығының артуы кезінде қысқа толқынды аймаққа ауысады, сонымен қатар көп кристалды кремний бетінің түйіршік шекаралары сутектік байланыстармен белсенді пассивтенеді: SiH, SiH2 , SiH3.
400-600 нм диапазонында қысқа толқынды аймақта кеуекті мк-Si бар КЭ үлгілерінің фотосезімталдығы бастапқы үлгімен салыстырғанда беттік шағылысу төмен болғанымен жоғары екендігі көрсетілген. Модификацияланған еріткішті қолдану қабаттың кеуектілігіне байланысты КЭ қондырғысының тиімділігін 13,5%-дан 16%-ға дейін арттыруға мүмкіндік беретіні көрсетілген. Алынған күн батареясының шығыс параметрлері де келтірілген.
Түйінді сөздер: Кремний, микрокристалды, кеуектілік, антирефлексия, пассивация, ток тығыздығы,анодизация, жарық өткізу.

Әдебиеттер
1 Gonik M.A. Directional Crystallization of Multicrystalline Silicon in a Melt Convection and Gas Exchange. Izvestiya Vysshikh Zavedenii. // Materialy Electronnoi Tekhniki. (Materials of Electronics Engineering). – 2015. – Vol.18(2). – P. 95-102.
2 R. Bairava Ganesh. Growth and characterization of multicrystalline silicon ingots by directional solidification for solar cell applications./Bairava Ganesh, Birgit Ryningen, Martin Syvertsen, Ivan Saha, Harsham Tathgar, G. Rajeswaran.//Energy Procedia. – 2011. – P. 317-376.
3 K.M. Yeh. High-quality Multicrystalline Silicon growth for solar cells by grain-controlled directional solidification./K.M. Yeh, C.K. Hseih, W.C. Hsu, C.W. Lan. //Progress in Photovoltaics: Research and Applications. – 2010. – Vol.18. – P. 265-271.
4 К.К. Диханбаев, С.М. Манаков, Т.И. Таурбаев. Использование термодиффузии фосфора через слой пористого кремния в кремниевых солнечных элементах.//Сборник трудов Муждународной конференции. – Санкт-Петербург: Изд-во Политехничекого университета, 2016. – С. 236-237.
5 A. G. Ulyashin, M. Scherff, R. Hussein, R. Job, W. R. Fahrner. “Comparison of Multicrystalline Silicon Surfaces after Wet Chemical Etching and Hydrogen Plasma Treatment: Application for the Heterojunction Solar Cells”//Technical Digest “12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference”, June 11th – 15th, 2001, Cheju Island, Korea, p. 209 (2001).
6 A. Hajjaji, A. Rebhi, I. Ka, K. Trabelsi, M. Gaidi, B. Bessais,M.A. El Khakani. Pulsed-laser-deposited lead sulfide nanoparticles based decoration of porous silicon layer as an effective passivation treatment for multicrystalline silicon. //Applied Surface Science. – 2020. – Vol.505. -Р.144590.
7 M. Achref, A. Bessadok, L. Khezami, S, Mokraoui, M. Ben Rabha. Effective surface passivation on multicrystalline silicon using aluminum/porous silicon nanostructures.//Surfaces and Interfaces. – 2020. – Vol. 18. -Р.100391.
8 Shaoyuan Li, Wenhui Ma, Xiuhua Chen, Keqiang Xie, Yuping Li, Xiao He, Xi Yang, Yun Lei. Structure and antireflection properties of SiNWs arrays form mc-Si wafer through Ag-catalyzed chemical etching. // Applied Surface Science. – 2016. – Vol. 369. -P. 232-240.
9 Jianqiang Wang, Fuqiang Zhong, Huan Liu, Lei Zhao, Wenjing Wang, Xixiang Xu, Yongzhe Zhang, Hui Yan. Influence of the textured pyramid size on the performance of silicon heterojunction solar cell. //Solar Energy. -2021. -P. 114-119.
10 E. Osorio, R. Urteaga, L.N. Acquaroli, G. Garcia-Salgado, H. Juarez, R.R. Koropecki. Optimization of porous silicon multilayer as antireflection coatings for solar cells. //Solar energy Materials and Solar Cells. – 2011. -Vol. 95, Issue 11. – P. 3069-3073.